熟女俱乐部五十路二区av,又爽又黄禁片视频1000免费,国产卡一卡二卡三无线乱码新区,中文无码一区二区不卡αv,中文在线中文a

首頁　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> mobile dram

英特爾+軟銀聯(lián)手劍指HBM

  • 美國芯片巨頭英特爾已與日本科技和投資巨頭軟銀攜手，合作開發(fā)一種堆疊式DRAM解決方案，以替代高帶寬存儲器（HBM）。據(jù)報道，雙方已合資成立新公司Saimemory共同打造原型產(chǎn)品，該項(xiàng)目將利用英特爾的芯片堆疊技術(shù)以及東京大學(xué)持有的數(shù)據(jù)傳輸專利，軟銀則以30億日元注資成為最大股東（總投資約100億日元）。該合作計劃于2027年完成原型開發(fā)并評估量產(chǎn)可行性，目標(biāo)是在2030年前實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。Saimemory將主要專注于芯片的設(shè)計工作以及專利管理，而芯片的制造環(huán)節(jié)則將交由外部代工廠負(fù)責(zé)這種分工模式有助于充分發(fā)揮
  • 關(guān)鍵字： 英特爾  軟銀  HBM  DRAM  三星  SK海力士  

三星考慮進(jìn)行大規(guī)模內(nèi)部重組

  • 據(jù)韓媒SEDaily報道，三星半導(dǎo)體部門（即DS設(shè)備解決方案部）正對系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)的組織運(yùn)作方式的調(diào)整計劃進(jìn)行最終審議，相關(guān)決定將在不久后公布。預(yù)計在由副董事長鄭鉉鎬和DS部門負(fù)責(zé)人全永鉉做出最終決定之前，還將進(jìn)行更多高層討論，并聽取董事長李在镕的意見。系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)主要負(fù)責(zé)芯片設(shè)計，在三星半導(dǎo)體體系中承擔(dān)著為移動業(yè)務(wù)（MX）部門開發(fā)Exynos手機(jī)SoC的核心任務(wù)。然而，近年來Exynos 2x00系列應(yīng)用處理器在三星Galaxy S/Z系列高端智能手機(jī)中的采用率明顯下降，不僅削弱了MX部門的利潤空間，
  • 關(guān)鍵字： 三星  HBM  LSI  DRAM  半導(dǎo)體  晶圓代工  

DDR5上升趨勢放緩;DRAM價格在第三季度將適度上漲

  • 根據(jù) TrendForce 集邦咨詢最新的內(nèi)存現(xiàn)貨價格趨勢報告，DRAM 方面，DDR5 價格已顯現(xiàn)放緩跡象，預(yù)計 25 年第三季度整體 DRAM 價格漲幅將有所緩和。至于 NAND 閃存，現(xiàn)貨價格在 2 月下旬以來上漲后已達(dá)到相對較高的水平，購買勢頭現(xiàn)在正在降溫。詳情如下：DRAM 現(xiàn)貨價格：與 DDR4 產(chǎn)品相比，DDR5 產(chǎn)品仍然會出現(xiàn)小幅現(xiàn)貨價格上漲。然而，DDR5 產(chǎn)品的平均現(xiàn)貨價格已經(jīng)相當(dāng)高，在某些情況下甚至高于合同價格。因此，上升趨勢最近有所緩和。組件公司和現(xiàn)貨交易員仍然更愿意接受 DDR4
  • 關(guān)鍵字： DDR5  DRAM  

Neo Semiconductor將IGZO添加到3D DRAM設(shè)計中

  • 存儲設(shè)備研發(fā)公司Neo Semiconductor Inc.（加利福尼亞州圣何塞）推出了其3D-X-DRAM技術(shù)的銦-鎵-鋅-氧化物（IGZO）變體。3D-X-DRAM 于 2023 年首次發(fā)布。Neo 表示，它已經(jīng)開發(fā)了一個晶體管、一個電容器 （1T1C） 和三個晶體管、零電容器 （3T0C） X-DRAM 單元，這些單元是可堆疊的。該公司表示，TCAD 仿真預(yù)測該技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn) 10ns 的讀/寫速度和超過 450 秒的保持時間，芯片容量高達(dá) 512Gbit。這些設(shè)計的測試芯片預(yù)計將于 2026 年推出
  • 關(guān)鍵字： Neo Semiconductor  IGZO  3D DRAM  

三星因關(guān)稅前囤積而提高DRAM價格，DDR4上漲20%

  • 在特朗普加征關(guān)稅之前囤積數(shù)據(jù)推動的 DRAM 需求激增似乎是真實(shí)的。據(jù)韓國 Etnews 報道，三星一年多來首次提高了 DRAM 價格，其中 DDR4 的漲幅最大。該報告表明，三星在 5 月初與主要客戶敲定了新的定價條款，已將 DDR4 價格提高了約 20%。與此同時，該報告補(bǔ)充說，DDR5 價格的漲幅較小，約為 5%。三星第二季度利潤或?qū)⒌玫教嵴裰档米⒁獾氖?，Etnews 表示，由于 DRAM 價格是以數(shù)月為基礎(chǔ)進(jìn)行談判的，因此最近的上漲預(yù)計將在一段時間內(nèi)支持盈利能力，從而為三星第二
  • 關(guān)鍵字： 三星  DRAM  DDR4  

撐不住, SK海力士DRAM漲12%

  • 全球存儲器市場近期出現(xiàn)顯著價格上漲，消費(fèi)級存儲器產(chǎn)品價格持續(xù)攀升。 根據(jù)最新市場動態(tài)，SK海力士消費(fèi)級DRAM顆粒價格已上漲約12%，落實(shí)先前市場的漲價傳言。美商威騰旗下品牌SanDisk則于先前發(fā)布NAND Flash價格上調(diào)通知，自4月1日起，對所有通路商及零售客戶的產(chǎn)品實(shí)施價格調(diào)整，漲幅將超過10%。市場分析人士指出，存儲器價格近期上漲主要受到全球供應(yīng)鏈瓶頸、晶圓產(chǎn)能限制及美系客戶急拉貨的影響。特別是人工智能、云端運(yùn)算及5G技術(shù)的快速發(fā)展，持續(xù)推動了對高性能內(nèi)存的強(qiáng)勁需求，存儲器國際大廠集中資源，生
  • 關(guān)鍵字： SK海力士  DRAM  

三星電子將引入VCT技術(shù)，未來2到3年推出新型DRAM產(chǎn)品

  • 據(jù)最新消息，三星電子已制定明確的技術(shù)路線圖，計劃在第7代10nm級DRAM內(nèi)存工藝（1d nm）后引入VCT垂直通道晶體管技術(shù)。相關(guān)產(chǎn)品預(yù)計將在未來2到3年內(nèi)問世。在規(guī)劃下一代DRAM工藝時，三星電子曾面臨兩種選擇：1e nm工藝和VCT DRAM技術(shù)。經(jīng)過深入研究和對比，三星最終選擇了VCT DRAM技術(shù)。相較于1e nm，VCT技術(shù)在性能和效率方面表現(xiàn)更優(yōu)。為加快研發(fā)進(jìn)度，三星電子還將原1e nm的先行研究團(tuán)隊(duì)并入1d nm研發(fā)團(tuán)隊(duì)，集中力量推進(jìn)1d nm工藝的開發(fā)。VCT DRAM技術(shù)是一種新型存儲
  • 關(guān)鍵字： 三星電子  VCT  DRAM  

高速數(shù)據(jù)中心蓬勃發(fā)展，DRAM內(nèi)存接口功不可沒

  • 高性能人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心正在以前所未有的方式重塑半導(dǎo)體設(shè)計版圖和投資方向。早在2022年，AI基礎(chǔ)設(shè)施方面的支出規(guī)模就已接近150億美元。而今年這一數(shù)字可能輕松突破600億美元大關(guān)。沒錯，“吸金”，各種資金正從各種投資計劃中向數(shù)據(jù)中心涌入。顯然，我們正處在一個人工智能資本支出空前高漲的時代——盡管DeepSeek等新入局者的潛在影響尚難以被準(zhǔn)確估量。但不可否認(rèn)的是，就在英偉達(dá)（Nvidia）、AMD等公司的高性能計算（HPC）處理器成為行業(yè)焦點(diǎn)的同時，用于存儲訓(xùn)練和推理模型的高帶寬內(nèi)存同樣迎來了屬于
  • 關(guān)鍵字： 數(shù)據(jù)中心  DRAM  

SK海力士首度超越三星！拿下DRAM季度營收第一：HBM市占率高達(dá)70%

  • 4月9日消息，根據(jù)Counterpoint Research的2025年第一季度內(nèi)存追蹤報告，SK海力士首次超越三星電子，以36%的市占率成為全球DRAM營收的領(lǐng)導(dǎo)者。在2025年第一季度，SK海力士的DRAM營收市占率達(dá)到36%，而三星電子緊隨其后，市占率為34%，美光則以25%的市占率位列第三，其他廠商合計占據(jù)剩余的5%。SK海力士預(yù)期，營收與市占率的增長至少會持續(xù)到下一季度，其還表示，公司在關(guān)鍵的HBM市場占有率高達(dá)70%。Counterpoint Research資深分析師Jeongku Choi
  • 關(guān)鍵字： SK海力士  三星  DRAM  

美光、SK海力士跟隨中！三星對內(nèi)存、閃存產(chǎn)品提價3-5%：客戶已開始談判新合同

  • 4月7日消息，據(jù)國外媒體報道稱，三星公司領(lǐng)導(dǎo)層將對主要全球客戶提高內(nèi)存芯片價格——從當(dāng)前水平提高3-5%。在三星看來，“需求大幅增長”導(dǎo)致DRAM、NAND閃存和HBM產(chǎn)品組合的價格上漲，預(yù)計2025年和2026年價格都會上漲。一位不愿透露姓名的半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士表示：去年全年供應(yīng)過剩，但隨著主要公司開始減產(chǎn)，供應(yīng)量最近有所下降，目前三星漲價后部分新合同的談判已然啟動。此外，人工智能 (AI) 設(shè)備在中國接連出現(xiàn)，由于工業(yè)自動化，對半導(dǎo)體的需求正在逐漸增加。市場研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange給出的統(tǒng)計顯示，
  • 關(guān)鍵字： 內(nèi)存  DRAM  NAND  HBM  三星  美光  SK海力士  

下游客戶庫存去化順利，預(yù)計2Q25 DRAM價格跌幅將收斂

  • 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，2025年第一季下游品牌廠大都提前出貨因應(yīng)國際形勢變化，此舉有助供應(yīng)鏈中DRAM的庫存去化。展望第二季，預(yù)估Conventional DRAM（一般型DRAM）價格跌幅將收斂至季減0%至5%，若納入HBM計算，受惠于HBM3e 12hi逐漸放量，預(yù)計均價為季增3%至8%。PC DRAM、Server DRAM價格皆持平上季因應(yīng)國際形勢變化，各主要PC OEM要求ODM提高整機(jī)組裝量，將加速去化OEM手中的DRAM庫存。為確保2025年下半年產(chǎn)線供料穩(wěn)定，庫存水
  • 關(guān)鍵字： TrendForce  集邦咨詢  DRAM  

美光1γ DRAM開始出貨，用上了EUV

  • 美光經(jīng)過多代驗(yàn)證的 DRAM 技術(shù)和制造策略促成了這一優(yōu)化的 1γ節(jié)點(diǎn)的誕生。
  • 關(guān)鍵字： 美光1γ DRAM  

新型高密度、高帶寬3D DRAM問世

  • 3D DRAM 將成為未來內(nèi)存市場的重要競爭者。
  • 關(guān)鍵字： 3D DRAM  

美光宣布1γ DRAM開始出貨：引領(lǐng)內(nèi)存技術(shù)突破，滿足未來計算需求

  • 美光科技股份有限公司近日宣布，已率先向生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴及特定客戶出貨專為下一代?CPU?設(shè)計的?1γ（1-gamma）第六代（10?納米級）DRAM?節(jié)點(diǎn)?DDR5?內(nèi)存樣品。得益于美光此前在?1α（1-alpha）和?1β（1-beta）DRAM?節(jié)點(diǎn)的領(lǐng)先優(yōu)勢，1γ DRAM?節(jié)點(diǎn)的這一新里程碑將推動從云端、工業(yè)、消費(fèi)應(yīng)用到端側(cè)?AI?設(shè)備（如?AI PC、智能手
  • 關(guān)鍵字： 美光  1γ DRAM  DRAM  

消息稱三星芯片部門負(fù)責(zé)人攜1b DRAM樣品訪問英偉達(dá)

  • 2 月 18 日消息，據(jù) TheElec 報道，三星芯片部門的負(fù)責(zé)人上周親自前往美國英偉達(dá)總部進(jìn)行訪問。此次訪問的目的是向英偉達(dá)展示三星最新研發(fā)的 1b DRAM 芯片樣品，該芯片主要用于高帶寬內(nèi)存（HBM）。消息人士透露，英偉達(dá)曾在去年要求三星改進(jìn)其 1b DRAM 的設(shè)計，此次展示的樣品正是基于英偉達(dá)的要求而改進(jìn)后的成果。通常情況下，三星設(shè)備解決方案（DS）部門的負(fù)責(zé)人親自向客戶展示樣品的情況較為罕見。IT之家注意到，三星在去年曾計劃使用 1b DRAM 生產(chǎn) HBM，但遭遇了良品率和過熱問題。該
  • 關(guān)鍵字： 三星  芯片  1b DRAM  樣品  英偉達(dá)  
共1931條 1/129 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

mobile dram介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條mobile dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對mobile dram的理解，并與今后在此搜索mobile dram的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473